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AR# 33458

XPE Virtex-5 FPGA FXT - 標準と最大のプロセスの差異がかなり大きい

説明

Virtex-5 FPGA XPE スプレッドシートで、Virtex-5 FXT デバイスの標準と最大のプロセスの差が Virtex-5 LXT/SXT デバイスよりかなり大きいのはなぜですか。

ソリューション


FXT デバイスでは、LXT/SXT デバイスと比較して漏れ電流がかなり大きくなっています。FXT と LXT/SXT の間で漏れ電流が大きく異なるのは、FXT には 1 ~ 2 個の PPC と 4 個までの PCIe ブロックがあるからです。これらのブロックは、パフォーマンスを向上するため短いチャネル長で薄い酸化膜の低 Vt トランジスタを使用して構築されていますが、漏れ電流が大きくなります。

低 Vt トランジスタの合計数は合計トランジスタ数に比べると少ないですが、低 Vt、薄い酸化膜のトランジスタの漏れ電流は通常の Vt トランジスタの 15 ~ 20 倍です。

LXT および SXT デバイスにはこれらのブロックがないので (PCIe ブロックでは最小限)、漏れ電流はかなり小さくなります。

プロセスの差異には、2 つの基本的な要素が関係します。

1) Vt の変化 +/- x mV により、通常の Vt トランジスタより低 Vt トランジスタでの方が漏れ電流に大きな変化が発生します。
2) ゲート長 +/- y nm の変化により、チャネルが長いデバイスより短いデバイスでの方が漏れ電流に大きな変化が発生します。

PPC および PCIe にはチャネルの短い低 Vt トランジスタが多数含まれているので、FXT デバイスはプロセスの変化にかなり影響されます。プロセスの差異のため、FXT デバイスの最大漏れ電流は標準に比べてかなり大きくなります。また、FXT デバイスでは LXT または SXT デバイスと比較して低 Vt トランジスタの数がかなり多いので、デフォルト プロセス (標準) もかなり大きくなります。
AR# 33458
日付 12/15/2012
ステータス アクティブ
種類 一般
デバイス
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