技術の進歩に伴い、DRAM (ダイナミック ランダム アクセス メモリ) のデバイス容量が増加し、チップ上のコンポーネントは小型化しています。これによって、DRAM チップにおける電気的または磁気的干渉が多発するようになりました。低エネルギー粒子は、メモリ セルのステートを変えることができます。干渉が原因で、DRAM のビットが反転してしまう可能性があります。結果として、システム クラッシュやデータ破損を招きます。さらに、機能安全システム アプリケーションでは、データやアドレスの軽減が求められます。これは、干渉による故障に対してだけでなく、縮退や短絡などの永続的なエラーによる故障に対しても行われます。

これらの意図しないビット反転に対応するため、いくつかのソリューションが開発されています。その 1 つは、データのエラー訂正コード (ECC) を計算し、それをデータと共に DRAM に格納する方法です。最も一般的な ECC である SECDED ハミング コードは、シングル ビット エラーを訂正でき、ダブル ビットエラーを検出できます。